美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）于当地时间昨日举办了 2026 年度技术网络研讨会，针对 DRAM、泛 HBM、NAND 以及 SSD 领域进行了展望，本次内容聚焦于闪存类别。

美光在此次活动中预告了其预计在 2027 年下半年进入产能爬坡阶段的 G11 NAND 闪存，该公司似乎跳过了 G10 世代。

G11 NAND 的堆叠层数超过 400 层，采用了晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的两倍，同时可实现高达 1.5 倍的 I/O 速率，数据传输能耗则能降低 25% 以上。

在 G11 之后，美光计划在 NAND 中引入突破性的高迁移率材料，以实现超密集的单元架构，并强化节能特性。

美光还介绍了两种 AI-class 数据中心级 NAND 设计，分别为基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化产品和类似 HBF 定义的带宽优化产品。

此外，美光展示了其全方位的 AI 优化存储解决方案。